Types de mémoire morte

Mémoire morte masquée :

Dans ce type de mémoire morte bits sont mémorisés en permanence en se tachant et le processus de metallization. C'est fait par les fabricants. Ce type de mémoire morte peut être programmé seulement un - par la fabrication.

BAL D'ÉTUDIANTS :

Les données sont écrites dans une mémoire morte au moment de la fabrication. Pourtant, une mémoire morte programmable (le BAL D'ÉTUDIANTS) permet aux données d'être chargée par l'utilisateur, en raccordant un fusible entre l'émetteur et la ligne de bit. PROMs fournissent le stockage flexible et économique aux programmes fixés et aux données, où de hauts volumes de production sont impliqués. Au départ, si le BAL D'ÉTUDIANTS contient tous 1s, donc au 'endroit voulu l'utilisateur peut insérer 0’s en incendiant les fusibles en utilisant de hautes impulsions du courant évidemment, ce processus est irréversible. Pourtant, le fait de mémoriser dans les mémoires mortes sera très cher quand seulement un petit nombre est exigé. Ainsi, PROMs fournissent une approche plus rapide et moins chère au fait de mémoriser.

EPROM :

Le fragment de BAL D'ÉTUDIANTS Effaçable admet que les données mémorisées aux données effacées et nouvelles peuvent être reprogrammées. Il fournit plus de flexibilité pendant la phase de développement de système numérique. Avec la ressemblance à la cellule de mémoire dynamique, les informations sont mémorisées dans un condensateur est très bien isolé et son taux de renvoi est bas. Dorénavant il retient les informations mémorisées depuis plus d'une année. En raison de la haute isolation, le processus d'écrire les nouvelles informations dans une cellule implique l'application d'un plus haut voltage. Le haut voltage est utilisé pour provoquer une panne temporaire dans l'isolation et permettre à la charge d'être mémorisé dans le condensateur. Les contenus de cellules EPROM peuvent être effacés en augmentant le taux de renvoi des condensateurs de stockage. Cela peut être accompli en exposant le fragment à la lumière ultraviolette. Toutes les cellules dans le fragment sont effacées en même temps.

EEPROM :

Dans une électricité le BAL D'ÉTUDIANTS effaçable, les contenus de cellules peuvent être effacés par l'application d'un haut voltage. Les avantages avec EEPROMs sont : il n'a pas besoin d'être physiquement enlevé pour la reprogrammation et le processus peut être rendu sélectif comme l'effacement électrique est utilisé.

Les avantages de mémoire morte sont :

• Ils sont non volatils
• Ils sont plus bon marché que la RAM
• Ils sont statiques et ne font pas de rafraîchissement
• Ils sont plus sûrs que la RAM comme leur circuit est simple.
• Ils sont disponibles dans de plus longues tailles que la RAM.
• Ils sont plus faciles à l'interface que la RAM.

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